SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔습니다.
SK하이닉스는 “그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협력해 적당한 시기에 맞춰 제품을 대량 생산(양산)하는 데 만전을 기하겠다”고 설명했습니다.
이번 신제품은 이전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올렸습니다. 데이터가 지나가는 통로(핀)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였습니다.
또한 HBM4E는 최신 인터페이스와 컴퓨터 설계 최적화로 데이터가 전송될 때 걸리는 지연 시간을 줄였고, 대량의 데이터가 오가는 고대역폭 환경에서도 안정적으로 작동하도록 만들었습니다. 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있습니다.
SK하이닉스는 HBM4E에 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF*' 공정을 적용해, 칩을 12단으로 쌓으면서도 48GB의 대용량을 구현하고 구조적인 안정성도 높였습니다. 특히 반도체가 작동할 때 발생하는 열 저항을 이전 세대(HBM4)보다 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨터 환경에서도 메모리가 과열 없이 안정적으로 작동하도록 했습니다.
※ MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해, 그 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정
SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 대량 생산 및 공급 경험을 바탕으로 고객 요구에 맞춘 메모리 솔루션을 공급해 왔습니다. 기존 제품군을 통해 확보한 품질과 공급 안정성을 기반으로, HBM4E를 통해서도 AI 시스템의 병목 현상을 해결하고 차세대 인프라 구축을 지원한다는 방침입니다.
최성훈 기자 csh87@etnews.com